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中文參數(shù)如下：
典型關(guān)閉延遲時間：45 ns
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時間：12 ns
功率耗散：1.25 W
下降時間：12 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TSMT-5
安裝風格：SMD/SMT
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.31 Ohms
漏極連續(xù)電流：+/- 1.5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：- 20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：ROHM Semiconductor
以上是QS6J1TR的詳細信息，包括QS6J1TR廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!
