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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > QS6K1TR

QS6K1TR

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: TSMT6（SC-95）
數(shù)量：: 1467
說明：: MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6

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QS6K1TR PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型2 個(gè) N 溝道（雙）
FET 特點(diǎn)邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C238 毫歐 @ 1A, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss)30V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）1.5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs2.4nC @ 4.5V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C1A
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 77pF @ 10V
功率 - 最大1.25W
安裝類型表面貼裝

以上是QS6K1TR的詳細(xì)信息，包括QS6K1TR廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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