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中文參數(shù)如下：
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：15 ns at N Channel, 45 ns at P Channel
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時(shí)間：18 ns at N Channel, 12 ns at P Channel
功率耗散：1.25 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：18 ns at N Channel, 12 ns at P Channel
包裝形式：Reel
封裝形式：TSMT-6
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.26 Ohms
漏極連續(xù)電流：1.5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：+ 30 V, - 20 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：ROHM Semiconductor
以上是QS6M3TR的詳細(xì)信息，包括QS6M3TR廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!
