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首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IXFQ10N80P

IXFQ10N80P

廠家：: Ixys
封裝：: TO-3P
數(shù)量：: 1251
說(shuō)明：: MOSFET 10 Amps 800V 1.1 Rds

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IXFQ10N80P PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：62 ns
工廠包裝數(shù)量：30
上升時(shí)間：22 ns
功率耗散：300 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：22 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-3P
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：1.1 Ohms
漏極連續(xù)電流：10 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：800 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXFQ10N80P的詳細(xì)信息，包括IXFQ10N80P廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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