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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IXFQ14N80P

IXFQ14N80P

廠家：: Ixys
封裝：: TO-3P
數(shù)量：: 1269
說明：: MOSFET 14 Amps 800V 0.72 Rds

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IXFQ14N80P PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：62 ns
工廠包裝數(shù)量：30
功率耗散：400 W
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-3P
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.7 Ohms
漏極連續(xù)電流：14 A
汲極/源極擊穿電壓：800 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXFQ14N80P的詳細信息，包括IXFQ14N80P廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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