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首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IXFQ50N60P3

IXFQ50N60P3

廠家：: Ixys
封裝：: TO-3P
數(shù)量：: 96
說明：: MOSFET 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET

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IXFQ50N60P3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

上升時(shí)間：20 ns
功率耗散：1040 W
柵極電荷 Qg：94 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：55 S, 32 S
下降時(shí)間：17 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-3P
安裝風(fēng)格：Through Hole
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.145 Ohms
漏極連續(xù)電流：50 A
閘/源擊穿電壓：30 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXFQ50N60P3的詳細(xì)信息，包括IXFQ50N60P3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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