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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IPD65R420CFDATMA1

IPD65R420CFDATMA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO252-3
數(shù)量：: 6327
說明：: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252-3

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IPD65R420CFDATMA1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：83.3W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：870 pF @ 100 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：31.5 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 300μA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：420 毫歐 @ 3.4A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：8.7A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：650 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：不適用于新設(shè)計
包裝：CoolMOS?
系列：卷帶（TR）
品牌：Infineon Technologies

以上是IPD65R420CFDATMA1的詳細(xì)信息，包括IPD65R420CFDATMA1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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