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首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IPD65R600C6

IPD65R600C6

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-252-3
數(shù)量：: 8118
說(shuō)明：: MOSFET 650V CoolMOS C6 Power Transistor

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IPD65R600C6 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：IPD65R600C6BTMA1 IPD65R600C6XT SP000745020
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：80 nS
上升時(shí)間：9 nS
功率耗散：63 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：23 nC
下降時(shí)間：13 nS
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252-3
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.6 Ohms at 10 V
漏極連續(xù)電流：7.3 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：700 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是IPD65R600C6的詳細(xì)信息，包括IPD65R600C6廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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