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IPD65R600E6

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-252
數(shù)量:
 6010  
說明:
 MOSFET N-CH 700V 7.3A
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IPD65R600E6-TO-252圖片

IPD65R600E6 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號別名:IPD65R600E6BTMA1 IPD65R600E6XT SP000800216
功率耗散:63 W
最小工作溫度:- 55 C
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-252
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.54 Ohms
漏極連續(xù)電流:7.3 A
閘/源擊穿電壓:20 V
汲極/源極擊穿電壓:700 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Infineon

以上是IPD65R600E6的詳細信息,包括IPD65R600E6廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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