日韩精品在线免费播放-午夜激情网址-日韩黄色一区-91网站免费在线观看-www黄色com-福利网站在线观看-欧美一区二区三区大片-久久久久久久久久久久久久国产-成人理论片-2020亚洲天堂-黄色成人91-毛片视频免费观看-一区二区黄色片-91亚洲精品在线-国产免费看av-黄色一级淫片-国产一级理论片

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > IPD05N03LA G

IPD05N03LA G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO252-3-11
數(shù)量：: 2997
說明：: MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

一、本商品被瀏覽0次.

IPD05N03LA G PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點：邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：5.1 毫歐 @ 30A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：25V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：50A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：2V @ 50µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：25nC @ 5V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：3110pF @ 15V
功率 - 最大：94W
安裝類型：表面貼裝

以上是IPD05N03LA G的詳細信息，包括IPD05N03LA G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：