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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IPD068P03L3 G

IPD068P03L3 G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-252-3
數(shù)量：: 11065
說明：: MOSFET P-Channel -30V MOSFET

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IPD068P03L3 G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：IPD068P03L3GBTMA1 IPD068P03L3GXT SP000472988
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：84 nS
上升時(shí)間：100 nS
功率耗散：100 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：68 nC
下降時(shí)間：31 nS
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252-3
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：6.8 mOhms at - 10 V
漏極連續(xù)電流：- 70 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：- 30 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是IPD068P03L3 G的詳細(xì)信息，包括IPD068P03L3 G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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