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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IPD068N10N3 G

IPD068N10N3 G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-252
數(shù)量：: 3024
說明：: MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V

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IPD068N10N3 G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：IPD068N10N3GBTMA1 IPD068N10N3GXT SP000469892
典型關(guān)閉延遲時間：37 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
功率耗散：150000 mW
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：6.8 mOhms
漏極連續(xù)電流：90 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPD068N10N3 G的詳細(xì)信息，包括IPD068N10N3 G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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