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首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > FDB3632_Q

FDB3632_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-263AB
數(shù)量：: 3888
說明：: MOSFET N-Channel PowerTrench

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FDB3632_Q PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：96 ns
上升時(shí)間：39 ns
功率耗散：310 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：46 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263AB
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.075 Ohms at 10 V
漏極連續(xù)電流：80 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDB3632_Q的詳細(xì)信息，包括FDB3632_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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