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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > FDB3672

FDB3672

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: D2PAK（TO-263）
數(shù)量：: 3258
說明：: MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

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FDB3672 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：FDB3672_NL
典型關(guān)閉延遲時間：26 ns
工廠包裝數(shù)量：800
上升時間：59 ns
功率耗散：120 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：44 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263AB
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.024 Ohms at 10 V
漏極連續(xù)電流：44 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDB3672的詳細(xì)信息，包括FDB3672廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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