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FDB3652_F085

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-263AB
數(shù)量：: 3249
說明：: MOSFET N-Ch PowerTrench Trench Mos.

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FDB3652_F085 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關閉延遲時間：26 ns
工廠包裝數(shù)量：800
上升時間：85 ns
功率耗散：150 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：45 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263AB
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：16 mOhms
漏極連續(xù)電流：61 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDB3652_F085的詳細信息，包括FDB3652_F085廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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