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BSZ123N08NS3 G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TSDSON-8
數(shù)量：: 1212
說明：: MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH

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BSZ123N08NS3 G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：BSZ123N08NS3GATMA1 BSZ123N08NS3GXT SP000443632
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：19 ns
工廠包裝數(shù)量：5000
上升時(shí)間：18 ns
功率耗散：2.1 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：4 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TSDSON-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.0123 Ohms
漏極連續(xù)電流：10 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：80 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是BSZ123N08NS3 G的詳細(xì)信息，包括BSZ123N08NS3 G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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