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BSZ12DN20NS3G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TDSON-8
數(shù)量：: 2079
說明：: MOSFET N-CH 200V 11.3A

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BSZ12DN20NS3G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3GXT
功率耗散：50 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：12 S, 6 S
包裝形式：Reel
封裝形式：PG-TDSON-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：108 mOhms
漏極連續(xù)電流：11.3 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：200 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是BSZ12DN20NS3G的詳細(xì)信息，包括BSZ12DN20NS3G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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