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BSZ165N04NS G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TSDSON-8
數(shù)量：: 342
說明：: MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 31A

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BSZ165N04NS G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：BSZ165N04NSGATMA1 BSZ165N04NSGXT SP000391523
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：6.8 ns
上升時(shí)間：1 ns
功率耗散：2.1 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：2.2 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TSDSON-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.0165 Ohms
漏極連續(xù)電流：8.9 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：40 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是BSZ165N04NS G的詳細(xì)信息，包括BSZ165N04NS G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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