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BSZ076N06NS3 G

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TDSON-8
數(shù)量:
 4823  
說明:
 MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH
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BSZ076N06NS3 G-TDSON-8圖片

BSZ076N06NS3 G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號(hào)別名:BSZ076N06NS3GATMA1 BSZ076N06NS3GXT SP000454420
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:20 ns
工廠包裝數(shù)量:5000
上升時(shí)間:40 ns
功率耗散:69 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:37 nC
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :39 S, 20 S
下降時(shí)間:5 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TDSON-8
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):7.6 mOhms
漏極連續(xù)電流:20 A
閘/源擊穿電壓:20 V
汲極/源極擊穿電壓:60 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Infineon

以上是BSZ076N06NS3 G的詳細(xì)信息,包括BSZ076N06NS3 G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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