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BSZ086P03NS3E G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TSDSON-8
數(shù)量：: 1971
說明：: MOSFET P-KANAL

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BSZ086P03NS3E G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：BSZ086P03NS3EGATMA1 BSZ086P03NS3EGXT SP000473016
典型關(guān)閉延遲時間：35 ns
工廠包裝數(shù)量：5000
上升時間：46 ns
功率耗散：69 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：8 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TSDSON-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.0086 Ohms
漏極連續(xù)電流：13.5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是BSZ086P03NS3E G的詳細(xì)信息，包括BSZ086P03NS3E G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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