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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > BSZ088N03MS G

BSZ088N03MS G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TSDSON-8
數(shù)量：: 216
說明：: MOSFET OptiMOS 3 M-SERIES

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BSZ088N03MS G PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

零件號別名：BSZ088N03MSGATMA1 BSZ088N03MSGXT SP000311509
典型關(guān)閉延遲時間：18 ns
上升時間：3 ns
功率耗散：2.1 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：2.4 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TSDSON-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.0088 Ohms
漏極連續(xù)電流：11 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是BSZ088N03MS G的詳細信息，包括BSZ088N03MS G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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