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APTM120DA29TG

廠家：: Microsemi Corporation
封裝：: SP4
數(shù)量：: 1305
說明：: MOSFET N-CH 1200V 34A SP4

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APTM120DA29TG PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點標(biāo)準(zhǔn)型
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C348 毫歐 @ 17A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)1200V (1.2kV)
Id 時的 Vgs(th)（最大）5V @ 5mA
閘電荷(Qg) @ Vgs374nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C34A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 10300pF @ 25V
功率 - 最大780W
安裝類型底座安裝

以上是APTM120DA29TG的詳細(xì)信息，包括APTM120DA29TG廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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