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APTM120H57FT3G

廠家：
  Microsemi Corporation
封裝：
 SP3
數(shù)量：
 1395  
說(shuō)明：
 MOSFET MOD FULL BRIDGE 1200V SP3
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APTM120H57FT3G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型4 N 通道（半橋）
FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C684 毫歐 @ 8.5A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)1200V (1.2kV)
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）5V @ 2.5mA
閘電荷(Qg) @ Vgs187nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C17A
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 5155pF @ 25V
功率 - 最大390W
安裝類(lèi)型底座安裝

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