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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > APTM120H29FG

APTM120H29FG

廠家：: Microchip Technology
封裝：
數(shù)量：: 2887
說明：: PWR MODULE MOSFET 1200V 34A SP6

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APTM120H29FG PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型4 N 通道（半橋）
FET 特點標準型
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C348 毫歐 @ 17A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)1200V (1.2kV)
Id 時的 Vgs(th)（最大）5V @ 5mA
閘電荷(Qg) @ Vgs374nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C34A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 10300pF @ 25V
功率 - 最大780W
安裝類型底座安裝

以上是APTM120H29FG的詳細信息，包括APTM120H29FG廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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