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APTGT35DA120D1G

廠家：: Microsemi Corporation
封裝：: D1
數(shù)量：: 8703
說明：: IGBT 1200V 55A 205W D1

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APTGT35DA120D1G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）1200V
Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）2.1V @ 15V, 35A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）55A
功率 - 最大205W
輸入類型標(biāo)準(zhǔn)型
安裝類型底座安裝

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