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APTGTQ200SK65T3G

廠家:
  Microchip Technology
封裝:
 
數(shù)量:
 3156  
說明:
 IGBT MODULE 650V 200A 483W SP3F
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APTGTQ200SK65T3G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
封裝封裝封裝/外殼:模塊
安裝類型:底座安裝
工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
NTC 熱敏電阻:是
輸入:標(biāo)準(zhǔn)
不同?Vce 時(shí)輸入電容 (Cies):12 nF @ 25 V
電流 - 集電極截止(最大值):200 μA
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,200A
功率 - 最大值:483 W
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):200 A
電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V
配置:降壓斬波器
IGBT 類型:-
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:-
系列:散裝
品牌:Microchip Technology

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