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APTGTQ200DA65T3G

廠家：: Microchip Technology
封裝：
數(shù)量：: 3147
說明：: IGBT MODULE 650V 200A 483W SP3F

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APTGTQ200DA65T3G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝封裝封裝/外殼：模塊
安裝類型：底座安裝
工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
NTC 熱敏電阻：是
輸入：標準
不同?Vce 時輸入電容 (Cies)：12 nF @ 25 V
電流 - 集電極截止（最大值）：200 μA
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：2.2V @ 15V，200A
功率 - 最大值：483 W
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：200 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V
配置：升壓斬波器
IGBT 類型：-
產品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：散裝
品牌：Microchip Technology

以上是APTGTQ200DA65T3G的詳細信息，包括APTGTQ200DA65T3G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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