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DF75R12W1H4FB11BOMA2

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: 模塊
數(shù)量：: 6129
說明：: IGBT MOD 1200V 25A 20MW

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DF75R12W1H4FB11BOMA2 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝封裝封裝/外殼：模塊
安裝類型：底座安裝
工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
NTC 熱敏電阻：是
輸入：標準
不同?Vce 時輸入電容 (Cies)：2 nF @ 25 V
電流 - 集電極截止（最大值）：1 mA
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：2.65V @ 15V，25A
功率 - 最大值：20 mW
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：25 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V
配置：三相反相器
IGBT 類型：-
產(chǎn)品狀態(tài)：最后售賣
包裝：EasyPACK?
系列：托盤
品牌：Infineon Technologies

以上是DF75R12W1H4FB11BOMA2的詳細信息，包括DF75R12W1H4FB11BOMA2廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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