Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉(zhuǎn)換計(jì)算機(jī)、手機(jī)和通信基礎(chǔ)架構(gòu)中的電源，也可用計(jì)算機(jī)磁盤驅(qū)動(dòng)器和汽車系統(tǒng)中的運(yùn)動(dòng)控制。 Vishay/Siliconix模擬開關(guān)IC用于對(duì)儀表儀器和多種工業(yè)產(chǎn)品中的模擬信號(hào)進(jìn)行感應(yīng)、開關(guān)和路徑設(shè)定。 |
| 圖片 | 型號(hào) | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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SUD50P06-15L-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3 | MOSFET 60V 50A 136W 15mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUD50P08-25L-E3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | 404 | MOSFET 80V 50A 136W 25.2mohm @ 10V | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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SUD50P08-26-E3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | MOSFET 80V 50A 136W 26mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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SUD50P10-43-E3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | MOSFET 100V 38A 136W 43mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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SUD50P10-43L-E3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | 1,844 | MOSFET 100V 37A 136W 43mohm @ 10V | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SUD54P04-23-GE3 | Vishay/Siliconix | MOSFET 40V 23mohm @ 10V | |||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，包裝形式：Reel，工廠包裝數(shù)量：2000，... | ||||||
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VQ1000J | Vishay/Siliconix | PDIP-14 | MOSFET QD 60V 0.225A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：0.225 A... | ||||||
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VQ1000P | Vishay/Siliconix | TO-226AA-14 | MOSFET QD 60V 0.225A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：過(guò)渡期間，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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VQ1000P-E3 | Vishay/Siliconix | PDIP-14 | MOSFET N-CH 60V 0.225A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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VQ1001J | Vishay/Siliconix | PDIP-14 | MOSFET QD 30V 0.83A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：0.83 A，... | ||||||
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VQ1001P | Vishay/Siliconix | 14-DIP | MOSFET QD 30V 0.53A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：過(guò)渡期間，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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VQ1004J | Vishay/Siliconix | PDIP-14 | MOSFET QD 60V 0.46A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：0.46 A，... | ||||||
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VQ1004P | Vishay/Siliconix | - | MOSFET QD 60V 0.46A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：過(guò)渡期間，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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VQ1006P | Vishay/Siliconix | 14-DIP | MOSFET 90V QUAD N-CHANNEL MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：過(guò)渡期間，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：90 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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VQ2001J | Vishay/Siliconix | PDIP-14 | MOSFET Quad 30V 0.6A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：0.6 A，電... | ||||||
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VQ2001P | Vishay/Siliconix | - | MOSFET Quad 30V 0.6A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：過(guò)渡期間，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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VQ2004J | Vishay/Siliconix | PDIP-14 | MOSFET Quad 60V 0.41A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：0.41 ... | ||||||
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VQ3001J | Vishay/Siliconix | PDIP-14 | MOSFET 30V 0.85/0.6A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：0... | ||||||
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VQ3001P | Vishay/Siliconix | SBCDIP-14 | MOSFET DUAL N & P CH 30V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：過(guò)渡期間，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：+/- 30 V，閘/源擊穿電... | ||||||
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VP0300B | Vishay/Siliconix | TO-205AD | MOSFET 30V 3A 6.25W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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