Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉(zhuǎn)換計(jì)算機(jī)、手機(jī)和通信基礎(chǔ)架構(gòu)中的電源，也可用計(jì)算機(jī)磁盤驅(qū)動(dòng)器和汽車系統(tǒng)中的運(yùn)動(dòng)控制。 Vishay/Siliconix模擬開(kāi)關(guān)IC用于對(duì)儀表儀器和多種工業(yè)產(chǎn)品中的模擬信號(hào)進(jìn)行感應(yīng)、開(kāi)關(guān)和路徑設(shè)定。 |
| 圖片 | 型號(hào) | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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IRFBG20PBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 1000V 1.4 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：1000 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IRFBG30 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET 1000V Single N-Channel HEXFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：1000 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IRFBG30PBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 13,237 | MOSFET 1000V Single N-Channel HEXFET | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：1000 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IRFD010 | Vishay/Siliconix | 4-HVMDIP | MOSFET N-Chan 50V 1.7 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：50 V，漏極連續(xù)電流：1.7 A，配置：Sin... | ||||||
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IRFD014 | Vishay/Siliconix | 4-HVMDIP | MOSFET N-Chan 60V 1.7 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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IRFD020 | Vishay/Siliconix | HVMDIP | MOSFET N-Chan 50V 2.4 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：50 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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IRFD024 | Vishay/Siliconix | 4-HVMDIP | MOSFET N-Chan 60V 2.5 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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IRFD113 | Vishay/Siliconix | 4-HVMDIP | MOSFET N-Chan 100V 1.0 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，包裝形式：Tube，工廠包裝數(shù)量：2500，... | ||||||
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IRFD123 | Vishay/Siliconix | HexDIP-4 | MOSFET N-Chan 100V 1.3 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFD210 | Vishay/Siliconix | 4-HVMDIP | MOSFET N-Chan 200V 0.6 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFD213 | Vishay/Siliconix | 4-HVMDIP | MOSFET N-Chan 200V 0.6 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，包裝形式：Tube，工廠包裝數(shù)量：2500，... | ||||||
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IRFD214 | Vishay/Siliconix | 4-HVMDIP | MOSFET N-Chan 250V 0.45 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：250 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFD220 | Vishay/Siliconix | 4-DIP（0.300"，7.62mm） | MOSFET N-Chan 200V 0.8 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFD310 | Vishay/Siliconix | 4-HVMDIP | MOSFET N-Chan 400V 0.35 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：400 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFD320 | Vishay/Siliconix | 4-HVMDIP | MOSFET N-Chan 400V 0.49 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：400 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFD420 | Vishay/Siliconix | 4-HVMDIP | MOSFET N-Chan 400V 0.37 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFD9010 | Vishay/Siliconix | 4-HVMDIP | MOSFET P-Chan 50V 1.1 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：50 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流... | ||||||
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IRFD9014 | Vishay/Siliconix | 4-HVMDIP | MOSFET P-Chan 60V 1.1 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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IRFD9020 | Vishay/Siliconix | 4-HVMDIP | MOSFET P-Chan 60V 1.6 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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IRFD9024 | Vishay/Siliconix | 4-HVMDIP | MOSFET P-Chan 60V 1.6 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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