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IRFD9014

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 4-HVMDIP
數(shù)量：: 6390
說(shuō)明：: MOSFET P-Chan 60V 1.1 Amp

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IRFD9014 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：10 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
上升時(shí)間：63 ns
功率耗散：1300 mW
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：63 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：HexDIP-4
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：500 mOhms
漏極連續(xù)電流：1.1 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：否
產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET
制造商：Vishay

以上是IRFD9014的詳細(xì)信息，包括IRFD9014廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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