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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IRFD9010

IRFD9010

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 4-HVMDIP
數(shù)量：: 6138
說明：: MOSFET P-Chan 50V 1.1 Amp

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IRFD9010 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：13 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
功率耗散：1 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：2.5 S
包裝形式：Tube
封裝形式：HVMDIP
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 125 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.35 Ohms
漏極連續(xù)電流：1.1 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：50 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：否
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是IRFD9010的詳細(xì)信息，包括IRFD9010廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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