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IRFBG30PBF

廠(chǎng)家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 TO-220-3
數(shù)量:
 19276  
說(shuō)明:
 MOSFET 1000V Single N-Channel HEXFET
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IRFBG30PBF-TO-220-3圖片

IRFBG30PBF PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:89 ns
工廠(chǎng)包裝數(shù)量:1000
上升時(shí)間:25 ns
功率耗散:125 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時(shí)間:20 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220AB
安裝風(fēng)格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):5 Ohms
漏極連續(xù)電流:3.1 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:1000 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET
制造商:Vishay

以上是IRFBG30PBF的詳細(xì)信息,包括IRFBG30PBF廠(chǎng)家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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