| 圖片 |
型號(hào) |
品牌 |
封裝 |
數(shù)量 |
描述 |
PDF資料 |
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NE72218 |
NEC/CEL |
SOT-343 |
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射頻GaAs晶體管 RO 551-NE34018 5/04 |
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| 參數(shù)：制造商：NEC，RoHS：否，技術(shù)類型：MESFET，頻率：12 GHz，增益：5 dB，正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值） ：45 mS，漏源電壓 VDS：5... |
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NE8500295-4 |
NEC/CEL |
CHIP |
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射頻GaAs晶體管 2W C Band MESFET |
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| 參數(shù)：制造商：NEC，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：否，技術(shù)類型：MESFET，頻率：3.5 GHz to 4.5 GHz，增益：10.5 dB，正向跨導(dǎo) ... |
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NE8500295-6 |
NEC/CEL |
CHIP |
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射頻GaAs晶體管 2W C Band MESFET |
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| 參數(shù)：制造商：NEC，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：否，技術(shù)類型：MESFET，頻率：5.5 GHz to 6.5 GHz，增益：9.5 dB，正向跨導(dǎo) g... |
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NE8500295-8 |
NEC/CEL |
CHIP |
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射頻GaAs晶體管 2W C Band MESFET |
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| 參數(shù)：制造商：NEC，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：否，技術(shù)類型：MESFET，頻率：7.5 GHz to 8.5 GHz，增益：8 dB，正向跨導(dǎo) gFS... |
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NE650103M |
NEC/CEL |
3M |
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射頻GaAs晶體管 RO 551-NE650103M-A |
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| 參數(shù)：制造商：NEC，RoHS：否，技術(shù)類型：MESFET，頻率：2.3 GHz，增益：11 dB，漏源電壓 VDS：15 V，閘/源擊穿電壓：- 18 V，漏極連續(xù)... |
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NE6510179A |
NEC/CEL |
79A |
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射頻GaAs晶體管 L&S Band GaAs HJFET |
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| 參數(shù)：制造商：NEC，RoHS：否，技術(shù)類型：HEMT，頻率：1.9 GHz，增益：10 dB，漏源電壓 VDS：8 V，閘/源擊穿電壓：- 4 V，漏極連續(xù)電流：2... |
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NE651R479A |
NEC/CEL |
79A |
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射頻GaAs晶體管 L&S Band GaAs HJFET |
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| 參數(shù)：制造商：NEC，RoHS：否，技術(shù)類型：HEMT，頻率：1.9 GHz，增益：12 dB，漏源電壓 VDS：8 V，閘/源擊穿電壓：- 4 V，漏極連續(xù)電流：1... |
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NE34018-64-A |
NEC/CEL |
SOT-343 |
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射頻GaAs晶體管 L-S Band Lo No Amp |
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| 參數(shù)：CEL|散裝|-|停產(chǎn)|GaAs HJ-FET|-|2GHz|16dB|2 V|120mA|0.6dB|5 mA|12dBm|4 V|表面貼裝型|SC-82A，... |
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NE34018-A |
NEC/CEL |
SOT-343 |
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射頻GaAs晶體管 L-S Band Lo No Amp |
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| 參數(shù)：CEL|散裝|-|停產(chǎn)|GaAs HJ-FET|-|2GHz|16dB|2 V|120mA|0.6dB|5 mA|12dBm|4 V|表面貼裝型|SC-82A，... |
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NE4210S01-A |
NEC/CEL |
S0-1 |
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射頻GaAs晶體管 Super Lo Noise HJFET |
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| 參數(shù)：制造商：NEC，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：是，技術(shù)類型：HEMT，頻率：12 GHz，增益：13 dB，噪聲系數(shù)：0.5 dB，正向跨導(dǎo) gFS（... |
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NE425S01 |
NEC/CEL |
S0-1 |
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射頻GaAs晶體管 Super Lo Noise HJFET |
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| 參數(shù)：制造商：NEC，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：是，技術(shù)類型：HEMT，頻率：12 GHz，增益：12 dB，噪聲系數(shù)：0.6 dB，正向跨導(dǎo) gFS（... |
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NE425S01-T1B |
NEC/CEL |
S0-1 |
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射頻GaAs晶體管 Super Lo Noise HJFET |
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| 參數(shù)：制造商：NEC，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：是，技術(shù)類型：HEMT，頻率：12 GHz，增益：12 dB，噪聲系數(shù)：0.6 dB，正向跨導(dǎo) gFS（... |
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NE32584C-S |
NEC/CEL |
Micro-X Ceramic (84 C) |
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射頻GaAs晶體管 84C LO NO HJ FET |
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| 參數(shù)：制造商：NEC，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：是，技術(shù)類型：pHEMT，頻率：12 GHz，增益：12.5 dB，噪聲系數(shù)：0.45 dB，正向跨導(dǎo) ... |
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NE325S01 |
NEC/CEL |
SO-1 |
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射頻GaAs晶體管 Super Lo Noise HJFET |
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| 參數(shù)：制造商：NEC，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：是，技術(shù)類型：HEMT，頻率：12 GHz，增益：12.5 dB，噪聲系數(shù)：0.45 dB，正向跨導(dǎo) g... |
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NE325S01-T1B |
NEC/CEL |
SO-1 |
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射頻GaAs晶體管 Super Lo Noise HJFET |
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| 參數(shù)：制造商：NEC，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：是，技術(shù)類型：HEMT，頻率：12 GHz，增益：12.5 dB，噪聲系數(shù)：0.45 dB，正向跨導(dǎo) g... |
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NE25118-T1-U73 |
NEC/CEL |
SOT-343 |
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射頻GaAs晶體管 Dual Gate MESFET |
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| 參數(shù)：制造商：NEC，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：否，技術(shù)類型：MESFET，頻率：0.9 GHz，增益：20 dB，噪聲系數(shù)：1.1 dB，正向跨導(dǎo) g... |
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NE25118-U73 |
NEC/CEL |
SOT-343 |
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射頻GaAs晶體管 Dual Gate MESFET |
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| 參數(shù)：制造商：NEC，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：否，技術(shù)類型：MESFET，頻率：0.9 GHz，增益：20 dB，噪聲系數(shù)：1.1 dB，正向跨導(dǎo) g... |
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NE334S01 |
NEC/CEL |
SO-1 |
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射頻GaAs晶體管 Low Noise HJ FET |
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| 參數(shù)：制造商：NEC，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：是，技術(shù)類型：HEMT，頻率：4 GHz，增益：16 dB，噪聲系數(shù)：0.25 dB，正向跨導(dǎo) gFS（... |
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NE334S01-T1 |
NEC/CEL |
SO-1 |
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射頻GaAs晶體管 Low Noise HJ FET |
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| 參數(shù)：制造商：NEC，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：是，技術(shù)類型：HEMT，頻率：4 GHz，增益：16 dB，噪聲系數(shù)：0.25 dB，正向跨導(dǎo) gFS（... |
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NE34018-T1-64-A |
NEC/CEL |
SOT-343 |
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射頻GaAs晶體管 L-S Band Lo No Amp |
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| 參數(shù)：CEL|卷帶（TR）|-|停產(chǎn)|GaAs HJ-FET|-|2GHz|16dB|2 V|120mA|0.6dB|5 mA|12dBm|4 V|表面貼裝型|SC-... |
