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NE32584C-S

廠家:
  NEC/CEL
封裝:
 Micro-X Ceramic (84 C)
數(shù)量:
 3249  
說(shuō)明:
 射頻GaAs晶體管 84C LO NO HJ FET
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NE32584C-S-Micro-X Ceramic (84 C)圖片

NE32584C-S PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

工廠包裝數(shù)量:1000
包裝形式:Tube
封裝形式:Micro-X Ceramic (84 C)
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
功率耗散:165 mW
最大工作溫度:+ 150 C
漏極連續(xù)電流:90 mA
閘/源擊穿電壓:- 3 V
漏源電壓 VDS:4 V
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :60 mS
噪聲系數(shù):0.45 dB
增益:12.5 dB
頻率:12 GHz
技術(shù)類型:pHEMT
RoHS:是
產(chǎn)品種類:射頻GaAs晶體管
制造商:NEC

以上是NE32584C-S的詳細(xì)信息,包括NE32584C-S廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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