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NE8500295-4

廠家:
  NEC/CEL
封裝:
 CHIP
數(shù)量:
 5328  
說(shuō)明:
 射頻GaAs晶體管 2W C Band MESFET
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NE8500295-4 PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

包裝形式:Bulk
P1dB:33.8 dBm
封裝形式:CHIP
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
功率耗散:13 W
最大工作溫度:+ 175 C
漏極連續(xù)電流:1.9 A
閘/源擊穿電壓:- 12 V
漏源電壓 VDS:15 V
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :600 mS
增益:10.5 dB
頻率:3.5 GHz to 4.5 GHz
技術(shù)類型:MESFET
RoHS:否
產(chǎn)品種類:射頻GaAs晶體管
制造商:NEC

以上是NE8500295-4的詳細(xì)信息,包括NE8500295-4廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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