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NE8500295-8

廠家：: NEC/CEL
封裝：: CHIP
數(shù)量：: 4563
說明：: 射頻GaAs晶體管 2W C Band MESFET

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NE8500295-8 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

包裝形式：Bulk
P1dB：33.8 dBm
封裝形式：CHIP
安裝風格：SMD/SMT
功率耗散：13 W
最大工作溫度：+ 175 C
漏極連續(xù)電流：1.9 A
閘/源擊穿電壓：- 12 V
漏源電壓 VDS：15 V
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：600 mS
增益：8 dB
頻率：7.5 GHz to 8.5 GHz
技術類型：MESFET
RoHS：否
產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管
制造商：NEC

以上是NE8500295-8的詳細信息，包括NE8500295-8廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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