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ZXMHN6A07T8TA

廠家：: Diodes Inc.
封裝：: SM8
數(shù)量：: 1962
說明：: MOSFET 60V 1.6A N-Channel MOSFET H-Bridge

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ZXMHN6A07T8TA PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關閉延遲時間：4.9 ns
工廠包裝數(shù)量：1000
上升時間：1.4 ns
功率耗散：1600 mW
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：1.4 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SM-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Quad Dual Drain Dual Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：300 mOhms
漏極連續(xù)電流：1.6 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Diodes Inc.

以上是ZXMHN6A07T8TA的詳細信息，包括ZXMHN6A07T8TA廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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