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ZXMN10A08DN8TC

廠家：: Diodes Incorporated
封裝：: 8-SO
數(shù)量：: 2106
說(shuō)明：: MOSFET N-CHAN 100V 8SOIC

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ZXMN10A08DN8TC PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C250 毫歐 @ 3.2A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)100V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs7.7nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C1.6A
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 405pF @ 50V
功率 - 最大1.25W
安裝類型表面貼裝

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