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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > US6M11TR

US6M11TR

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: TUMT6
數(shù)量：: 23766
說明：: MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TUMT6

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US6M11TR PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

FET 型：N 和 P 溝道
FET 特點：邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：180 毫歐 @ 1.5A, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss)：20V, 12V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：1.5A, 1.3A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：1V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs：1.8nC @ 4.5V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：110pF @ 10V
功率 - 最大：700mW
安裝類型：表面貼裝

以上是US6M11TR的詳細信息，包括US6M11TR廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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