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US6M1TR

廠家：: ROHM Semiconductor
封裝：: TUMT6
數(shù)量：: 2313
說明：: MOSFET N+P 30 20V 1A

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US6M1TR PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：13 nS, 25 nS
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時(shí)間：6 nS, 8 nS
功率耗散：1 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：1.4 nC, 2.1 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：1 S, 0.7 S
下降時(shí)間：8 nS, 10 nS
包裝形式：Reel
封裝形式：TUMT-6
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：170 mOhms at 10 V, 280 mOhms at - 4.5 V
漏極連續(xù)電流：+/- 1.4 A, +/- 1 A
閘/源擊穿電壓：+ 20 V, - 12 V
汲極/源極擊穿電壓：+ 30 V, - 20 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：ROHM Semiconductor

以上是US6M1TR的詳細(xì)信息，包括US6M1TR廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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