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TT8J21TR

廠家:
  ROHM Semiconductor
封裝:
 8-TSST
數(shù)量:
 1530  
說(shuō)明:
 MOSFET P Chan-20V-2.5A Mid-PowerSwitching
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TT8J21TR-8-TSST圖片

TT8J21TR PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:120 ns
上升時(shí)間:30 ns
功率耗散:1250 mW
最小工作溫度:- 55 C
下降時(shí)間:30 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TSST-8
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):68 mOhms at 4.5 V
漏極連續(xù)電流:2.5 A
閘/源擊穿電壓:+/- 10 V
汲極/源極擊穿電壓:20 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:ROHM Semiconductor

以上是TT8J21TR的詳細(xì)信息,包括TT8J21TR廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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