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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > TT8M2TR

TT8M2TR

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: 8-TSST
數(shù)量：: 2115
說明：: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A TSST8

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TT8M2TR PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

FET 型：N 和 P 溝道
FET 特點(diǎn)：邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：90 毫歐 @ 2.5A, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss)：30V, 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：2.5A
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：1.5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs：3.2nC @ 4.5V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：180pF @ 10V
功率 - 最大：1W
安裝類型：表面貼裝

以上是TT8M2TR的詳細(xì)信息，包括TT8M2TR廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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