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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > TK8Q60W,S1VQ

TK8Q60W,S1VQ

廠家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封裝：: I-Pak
數(shù)量：: 4995
說明：: MOSFET N-CH 600V 8A IPAK

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TK8Q60W,S1VQ PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：80W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：570 pF @ 300 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：18.5 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 400μA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：500 毫歐 @ 4A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：8A（Ta）
漏源電壓（Vdss）：600 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：DTMOSIV
系列：管件
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

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