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TK8Q65W,S1Q

廠家:
  Toshiba Semiconductor and Storage
封裝:
 I-Pak
數(shù)量:
 4469  
說明:
 MOSFET N-CH 650V 7.8A IPAK
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TK8Q65W,S1Q-I-Pak圖片

TK8Q65W,S1Q PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
:150°C(TJ)
功率耗散(最大值):80W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):570 pF @ 300 V
Vgs(最大值):±30V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):16 nC @ 10 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):3.5V @ 300μA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):670 毫歐 @ 3.9A,10V
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):7.8A(Ta)
漏源電壓(Vdss):650 V
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:DTMOSIV
系列:管件
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

以上是TK8Q65W,S1Q的詳細(xì)信息,包括TK8Q65W,S1Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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