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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > TK6P60W,RVQ

TK6P60W,RVQ

廠家：: Toshiba
封裝：: DPAK
數(shù)量：: 8928
說明：: MOSFET N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC

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TK6P60W,RVQ PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：55 ns
上升時(shí)間：18 ns
功率耗散：60 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：12 nC
下降時(shí)間：7 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：DPAK-3
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.68 Ohms
漏極連續(xù)電流：6.2 A
閘/源擊穿電壓：30 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Toshiba

以上是TK6P60W,RVQ的詳細(xì)信息，包括TK6P60W,RVQ廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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