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中文參數(shù)如下：
：175°C
功率耗散（最大值）：42W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：3455 pF @ 50 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：58 nC @ 10 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 500μA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：6.7 毫歐 @ 28A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：56A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：100 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：管件
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage
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