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TK650A60F,S4X

廠家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封裝：: TO-220SIS
數(shù)量：: 3420
說明：: MOSFET N-CH 600V 11A TO220SIS

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TK650A60F,S4X PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：150°C
功率耗散（最大值）：45W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1320 pF @ 300 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：34 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1.16mA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：650 毫歐 @ 5.5A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：11A（Ta）
漏源電壓（Vdss）：600 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：U-MOSIX
系列：管件
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

以上是TK650A60F,S4X的詳細信息，包括TK650A60F,S4X廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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