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TK16V60W5,LVQ

廠家：
  Toshiba Semiconductor and Storage
封裝：
 4-DFN-EP（8x8）
數(shù)量：
 4545  
說明：
 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM
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TK16V60W5,LVQ PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：150°C
功率耗散（最大值）：139W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1350 pF @ 300 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：43 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 790μA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：245 毫歐 @ 7.9A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：15.8A（Ta）
漏源電壓（Vdss）：600 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：DTMOSIV
系列：卷帶（TR）
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

以上是TK16V60W5,LVQ的詳細信息，包括TK16V60W5,LVQ廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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