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TK18A60V(S4V,Q)

廠家：: Toshiba
封裝：: TO-220SIS-3
數(shù)量：: 7358
說明：: MOSFET N-CH 600V 18A 45W 0.19 OHM

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TK18A60V(S4V,Q) PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

功率耗散：45 W
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220SIS-3
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：190 mOhms
漏極連續(xù)電流：18 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Toshiba

以上是TK18A60V(S4V,Q)的詳細信息，包括TK18A60V(S4V,Q)廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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